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产品与方案

提供包括封装设计、封装、测试、可靠性验证等成套封测方案

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SGT MOSFET

HYG013N03LS1C2

HYG013N03LS1C2

此器件为N 沟道、30V耐压、1.3mΩ内阻、PDFN8L(5x6)封装产品,芯片采用SGT工艺设计,该器件适合高频应用,可满足如AC-DC同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换/无人机电调/等应用领域。

特性

低内阻      

优异的Qg

低FOM

低输入电容

符合RoHS标准                   

100% DVDS测试

100% UIL测试                    

提升系统效率

领先的封装工艺 



优势

通态损耗小    

抗冲击能力强   

优异的导热及散热性能力 

高可靠性

高功率密度  

稳定的工艺能力    

驱动损耗低



应用

锂电池保护板

电动工具

DC-DC

同步整流

HYG013N03LS1C2

模型