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产品与方案

提供包括封装设计、封装、测试、可靠性验证等成套封测方案

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SGT MOSFET

HYG400N15NS1P

HYG400N15NS1P

此器件为 150V、32mΩ、TO-220FB-3L封装产品,采用SGT流片工艺,可满足如DC-DC等应用领域。

特性

优异的QG

低输入电容

符合RoHS标准

100%  DVDS测试



优势

通态损耗小

稳定的工艺能力

高可靠性



应用

AC-DC

DC-DC 

HYG400N15NS1P

模型