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产品与方案

提供包括封装设计、封装、测试、可靠性验证等成套封测方案

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SGT MOSFET

HYG072N10LS1C2

HYG072N10LS1C2

此器件为 100V、6.0mΩ、PDFN8L(5x6)封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合高频应用,可满足如同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换等应用领域。

特性

低内阻

优异的QG

低输入电容

符合RoHS标准



优势

通态损耗小

稳定的工艺能力

高可靠性



应用

同步整流

AC-DC/DC-DC电源板

PD电源

HYG072N10LS1C2

模型