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产品与方案

提供包括封装设计、封装、测试、可靠性验证等成套封测方案

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SGT MOSFET

HYG055N08NS1P

HYG055N08NS1P

此器件为80V、5.3mΩ、TO-220FB-3L封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合较高频率应用,可满足同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换等应用领域。

特性

低内阻

优异的QG

低输入电容

符合RoHS标准

100% DVDS测试

100% UIL测试 


优势

通态损耗小

抗冲击能力强

稳定的工艺能力

高可靠性


应用

电动车控制器,锂电池保护板,逆变器

HYG055N08NS1P

模型