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产品与方案

提供包括封装设计、封装、测试、可靠性验证等成套封测方案

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SGT MOSFET

HYG014N03LS1C2

HYG014N03LS1C2

此器件为 30V、1.2mΩ、PDFN5*6封装产品,采用SGT流片工艺,可满足如锂电池保护板、DC-DC转换等应用领域

特性

低内阻、符合RoHS标准 

100% DVDS测试

100% UIL测试



优势

通态损耗小 

抗冲击能力强



应用

锂电池保护板 、DC-DC电源板

HYG014N03LS1C2

模型