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产品与方案

提供包括封装设计、封装、测试、可靠性验证等成套封测方案

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SGT MOSFET

HYG055N08NS1C2

HYG055N08NS1C2

此器件为 80V、4.8mΩ、PDFN8L(5x6)封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合较高频率应用,可满足同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换等应用领域。

特性

低内阻

优异的QG

符合RoHS标准

100% DVDS测试

100% UIL测试 


优势

通态损耗小

抗冲击能力强

稳定的工艺能力

高可靠性

优异的导热及散热性能力 


应用

电机驱动,锂电池保护板   

HYG055N08NS1C2

模型